SCT2H12NZ

品牌：罗姆(ROHM)    类型：SiC（碳化硅）MOSFET
SCT2H12NZ是罗姆公司生产的一款SiC（碳化硅）MOSFET产品， SiC（碳化硅）MOSFET产品适用于多种场景， 如消费电子、照明电子、医疗电子、仪器仪表、通讯网络、交通汽车、安防监控、工业自动化、军事国防、便携设备、能源勘测、船舶航天等。 如果想了解更多关于罗姆SiC（碳化硅）MOSFET产品，可以收藏TK智库网站。

型号参数

名称参数
Common Standard-
Package TO-3PFM
Drain-source Voltage[V] 1700
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ] 1150
Generation 2nd Gen (Planar)
Drain Current[A] 3.7
Total Power Dissipation[W] 35
Junction Temperature (Max.) [°C] 175

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